Name: DMT6007LFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT6007LFGQ-7TR-ND
Price: 39.6396 CZK
Availability: OutOfStock

DMT6007LFGQ-7
Číslo produktu DigiKey	31-DMT6007LFGQ-7TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMT6007LFGQ-7CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMT6007LFGQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMT6007LFGQ-7
Popis	MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 15A (Ta), 80A (Tc) 2,2W (Ta), 62,5W (Tc) Montáž na povrch POWERDI3333-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMT6007LFGQ-7 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	15A (Ta), 80A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	41.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2090 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,2W (Ta), 62,5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	POWERDI3333-8
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	DMT6007

Jednotková cena bez DPH:	32,76000 Kč
Jednotková cena s DPH:	39,63960 Kč

DMT6007LFGQ-7