Name: DMT6007LFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT6007LFG-13TR-ND
Price: 52.4898 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMT6007LFG-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMT6007LFG-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMT6007LFG-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMT6007LFG-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMT6007LFG-13
Popis	MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 15A (Ta), 80A (Tc) 2,2W (Ta), 62,5W (Tc) Montáž na povrch POWERDI3333-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 41.3 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2090 pF @ 30 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2,2W (Ta), 62,5W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 15A (Ta), 80A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra POWERDI3333-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerVDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 6mOhm při 20A, 10V	Základní číslo produktu DMT6007

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (2)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
DMT6007LFG-7	Diodes Incorporated	2 205	DMT6007LFG-7DICT-ND	46,30000 Kč	Parametrický ekvivalent
DMT6007LFGQ-13	Diodes Incorporated	12	31-DMT6007LFGQ-13CT-ND	39,21000 Kč	Parametrický ekvivalent