Name: DMN60H080DS-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN60H080DS-7DITR-ND
Price: 11.1804 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN60H080DS-7
Číslo produktu DigiKey	DMN60H080DS-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN60H080DS-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN60H080DS-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN60H080DS-7
Popis	MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 80mA (Ta) 1,1W (Ta) Montáž na povrch SOT-23-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 1.7 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 25 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1,1W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 80mA (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra SOT-23-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds zap (max) při Id, Vgs 100Ohm při 60mA, 10V	Základní číslo produktu DMN60

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 5 460

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)