Name: DMN3026LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3026LVT-7DITR-ND
Price: 13.2495 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

DMN3026LVT-7
Číslo produktu DigiKey	DMN3026LVT-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN3026LVT-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN3026LVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN3026LVT-7
Popis	MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 6,6A (Ta) 1,2W (Ta) Montáž na povrch TSOT-23-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMN3026LVT-7 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6,6A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	23mOhm při 6,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	12.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	643 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,2W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TSOT-23-6
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Základní číslo produktu	DMN3026

Jednotková cena bez DPH:	10,95000 Kč
Jednotková cena s DPH:	13,24950 Kč

DMN3026LVT-7