Name: FDC655BN
Brand: onsemi
SKU: FDC655BNTR-ND
Price: 20.0739 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDC655BN
Číslo produktu DigiKey	FDC655BNTR-ND - Páska a cívka (TR) FDC655BNCT-ND - Řezaná páska (CT) FDC655BNDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDC655BN
Popis	MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 6,3A (Ta) 1,6W (Ta) Montáž na povrch SuperSOT™-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDC655BN Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 15 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 570 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1,6W (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra SuperSOT™-6
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 6,3A (Ta)	Pouzdro SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu FDC655
Rds zap (max) při Id, Vgs 25mOhm při 6,3A, 10V