Name: SI3410DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3410DV-T1-GE3TR-ND
Price: 30.8187 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI3410DV-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI3410DV-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI3410DV-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI3410DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI3410DV-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 8A (Tc) 2W (Ta), 4,1W (Tc) Montáž na povrch 6-TSOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI3410DV-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	19,5mOhm při 5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1295 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2W (Ta), 4,1W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	6-TSOP
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Základní číslo produktu	SI3410