Name: DMN3009SFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3009SFGQ-7DITR-ND
Price: 34.2793 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN3009SFGQ-7
Číslo produktu DigiKey	DMN3009SFGQ-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN3009SFGQ-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN3009SFGQ-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN3009SFGQ-7
Popis	MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 16A (Ta), 45A (Tc) 900mW (Ta) Montáž na povrch POWERDI3333-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	16A (Ta), 45A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	5,5mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2000 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	900mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	POWERDI3333-8
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	DMN3009