Name: DMN1019USN-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1019USN-13DITR-ND
Price: 15.0282 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN1019USN-13
Číslo produktu DigiKey	DMN1019USN-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN1019USN-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN1019USN-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN1019USN-13
Popis	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 12 V 9,3A (Ta) 680mW (Ta) Montáž na povrch SC-59-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	12 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9,3A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,2V, 2,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	10mOhm při 9,7A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	800mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	50.6 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2426 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	680mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SC-59-3
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo produktu	DMN1019

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 12 709

Skladové zásoby výrobce: 10 000

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®