Name: DMN1019USN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1019USN-7DITR-ND
Price: 15.0282 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

DMN1019USN-7
Číslo produktu DigiKey	DMN1019USN-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN1019USN-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN1019USN-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN1019USN-7
Popis	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 12 V 9,3A (Ta) 680mW (Ta) Montáž na povrch SC-59-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMN1019USN-7 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	12 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9,3A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,2V, 2,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	10mOhm při 9,7A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	800mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	50.6 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2426 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	680mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SC-59-3
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo produktu	DMN1019

Jednotková cena bez DPH:	12,42000 Kč
Jednotková cena s DPH:	15,02820 Kč

DMN1019USN-7