Name: DMN1019USN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1019USN-7DITR-ND
Price: 16.0083 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN1019USN-7
Číslo produktu DigiKey	DMN1019USN-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN1019USN-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN1019USN-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN1019USN-7
Popis	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 12 V 9,3A (Ta) 680mW (Ta) Montáž na povrch SC-59-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMN1019USN-7 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 800mV při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 50.6 nC @ 8 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2426 pF @ 10 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 680mW (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 12 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 9,3A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra SC-59-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,2V, 2,5V	Pouzdro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds zap (max) při Id, Vgs 10mOhm při 9,7A, 4,5V	Základní číslo produktu DMN1019

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 16 388

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)