Vishay / Siliconix

Tranzistory MOSFET čtvrté generace řady E/EF

Tranzistory MOSFET od společnosti Vishay se vyznačují sníženými spínacími ztrátami a ztrátami vedením

Tranzistory super-junction MOSFET 600 V a 650 V 4. generace od společnosti Obrázek tranzistorů MOSFET čtvrté generace řady 600 VE/EF od společnosti Vishay SiliconixVishay v pouzdru s technologií PowerPAK umožňují 10násobné snížení náboje Qrr, aby nedocházelo k tvrdé komutaci v můstkových technologiích. Nabízejí také snížení parametru Co(ter) v době nabíjení/vybíjení pro dosažení optimalizovaného provozu se spínáním napětí při průchodu nulou (ZVS). Nízká hodnota parametru FOM RDS(ON) x Qg pomáhá konstruktérům zvýšit výkonovou hustotu a systémovou účinnost.

Vlastnosti
  • Technologie řady E/EF 4. generace
  • Nízká hodnota parametru FOM RNA x QG
  • Nízká efektivní kapacita (Co(er) )
  • Snížené ztráty spínáním a vedením
  • Klasifikace pro lavinovou energii (UIS)
  • Připojení Kelvin pro snížení šumu brány
Aplikace
  • Napájecí zdroje pro servery a telekomunikace
  • Spínané napájecí zdroje (SMPS)
  • Napájecí zdroje s kompenzací účiníku (PFC)
  • Osvětlení
  • Výboje s vysokou intenzitou (HID)
  • Předřadníky pro zářivky
  • Průmysl
  • Svařování
  • Indukční ohřev
  • Pohony motorů
  • Nabíječky baterií
  • Solární (PV) invertory

Fourth-Generation E/EF Series MOSFETs

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisTrvalý odtokový proud (Id) při 25°CRds zap (max) při Id, VgsAvailable QuantityCenaZobrazit podrobnosti
EF SERIES POWER MOSFET WITH FASTSIHH085N60EF-T1GE3EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST30A (Tc)85mOhm při 17A, 10V5635 - Immediate$170.81Zobrazit podrobnosti
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8SIHH080N60E-T1-GE3E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 832A (Tc)80mOhm při 17A, 10V3828 - Immediate$112.90Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8SIHH068N60E-T1-GE3MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 834A (Tc)68mOhm při 15A, 10V86 - Immediate$138.31Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8SIHH070N60EF-T1GE3MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 836A (Tc)71mOhm při 15A, 10V3000 - Immediate$142.89Zobrazit podrobnosti
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8SIHR080N60E-T1-GE3E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 851A (Tc)84mOhm při 17A, 10V1990 - Immediate$152.06Zobrazit podrobnosti
Published: 2019-01-31

Related Product Highlight

Výkonový tranzistor MOSFET SiHR080N60E řady E Přívody typu Gullwing výkonových tranzistorů MOSFET SiHR080N60E řady E od společnosti Vishay poskytují vynikající vlastnosti teplotního cyklu.
Tranzistory MOSFET v 5G provedení Tranzistory MOSFET od společnosti Vishay v 5G provedení jsou ideální pro 5G infrastrukturu, základní stanice a edge a cloud computing.