Výkonový tranzistor MOSFET SiHR080N60E řady E

Aby zajistila vyšší účinnost a výkonovou hustotu v telekomunikačních, průmyslových a výpočetních aplikacích, nabízí společnost Vishay výkonové tranzistory MOSFET čtvrté generace řady 600 V E v pouzdru PowerPAK^® 8x8LR s horním chlazením. Ve srovnání se součástkami předchozí generace snižuje N-kanálový tranzistor SiHR080N60E odpor v sepnutém stavu o 27 %. Dále snižuje o 60 % součin odporu a náboje hradla, což je klíčová hodnota parametru FOM pro 600V tranzistory MOSFET používané v aplikacích na přeměnu energie, a zároveň dodává vyšší proud při menším půdorysu než součástky v pouzdru v D²PAK. Pouzdro PowerPAK 8 x 8LR tranzistoru SiHR080N60E s horním chlazením o rozměrech 10,42 mm x 8 mm x 1,65 mm má o 50,8 % menší půdorys než pouzdro D²PAK a současně vykazuje o 66 % nižší výšku.

Díky chlazení na horní straně nabízí pouzdro vynikající tepelnou kapacitu s extrémně nízkým tepelným odporem +0,25 °C/W mezi přechodem a pouzdrem. Toto řešení umožňuje 46% zvýšení proudu v porovnání s pouzdrem D²PAK při stejné hodnotě odporu s sepnutém stavu, což vede k dramaticky vyšší výkonové hustotě. Průmyslově nízký parametr FOM tranzistoru SiHR080N60E jako součin odporu v sepnutém stavu a náboje hradla 3,1 Ω*nC se dále projevuje ve snížených ztrátách vedením a spínáním, čímž dochází ke snížení spotřeby energie a zvýšení účinnosti ve výkonových systémech nad 2 kW.

Typicky nízké efektivní výstupní kapacity tranzistoru MOSFET C_o(er), resp. C_o(tr) 79 pF, resp. 499 pF, zlepšují spínací výkon v pevně spínaných topologiích, ke kterým patří například kompenzace účiníku (PFC), polomůstek a konstrukce typu forward design se dvěma spínači. Společnost Vishay nabízí širokou škálu technologií MOSFET podporujících všechny fáze procesu přeměny energie, od vysokonapěťových vstupů po nízkonapěťové výstupy potřebné k napájení high-tech zařízení. S tranzistory SiHR080N60E a dalšími součástkami čtvrté generace řady 600 V E společnost řeší potřebu zlepšení účinnosti a výkonové hustoty ve dvou z prvních fází architektury výkonového systému: PFC a následné bloky DC/DC převodníků.