IRF200S234 Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

IRF200S234 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Infineon Technologies

Skladem : 1 380

Jednotková cena : 5,75000 Kč

Similar

IXYS

Skladem : 0

Jednotková cena : 9,31000 Kč

Similar

Vishay Siliconix

Skladem : 3 251

Jednotková cena : 3,27000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF200S234
Číslo produktu DigiKey	IRF200S234TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF200S234
Popis	MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 90A (Tc) 417W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRF200S234 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	90A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	16,9mOhm při 51A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	162 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6484 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	417W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IRF200