Name: IPT007N06NATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT007N06NATMA1TR-ND
Price: 191.8213 CZK
Availability: InStock

IPT007N06NATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPT007N06NATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPT007N06NATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPT007N06NATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPT007N06NATMA1
Popis	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 300A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPT007N06NATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	300A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,75mOhm při 150A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,3V při 280µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	287 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	16000 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	375W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOF-8-1
Pouzdro	8-PowerSFN
Základní číslo produktu	IPT007

Jednotková cena bez DPH:	158,53000 Kč
Jednotková cena s DPH:	191,82130 Kč

IPT007N06NATMA1