XP9565GEM YAGEO XSEMI | Diskrétní polovodičové produkty

XP9565GEM je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

YAGEO XSEMI

Skladem : 0

Jednotková cena : 0,00000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XP9565GEM
Číslo produktu DigiKey	5048-XP9565GEMTR-ND - Páska a cívka (TR) 5048-XP9565GEMCT-ND - Řezaná páska (CT) 5048-XP9565GEMDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	YAGEO XSEMI
Číslo produktu výrobce	XP9565GEM
Popis	MOSFET P-CH 40V 6.5A 8SO
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 6,5A (Ta) 2,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	YAGEO XSEMI
Řada	XP9565
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6,5A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	38mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	20 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1570 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SO
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)