XP9565GEM YAGEO XSEMI | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

XP9565GEM je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

YAGEO XSEMI

Skladem : 0

Jednotková cena : 2,21704 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XP9565GEM
Číslo produktu DigiKey	5048-XP9565GEMTR-ND - Páska a cívka (TR) 5048-XP9565GEMCT-ND - Řezaná páska (CT) 5048-XP9565GEMDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	YAGEO XSEMI
Číslo produktu výrobce	XP9565GEM
Popis	MOSFET P-CH 40V 6.5A 8SO
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 6,5A (Ta) 2,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 38mOhm při 6A, 10V
Mfr YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Řada XP9565	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 20 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±16V
Stav součásti Zastaralé	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1570 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 6,5A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra 8-SO
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (1)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
XP4P040M	YAGEO XSEMI	0	5048-XP4P040MTR-ND	2,21704 Kč	MFR Recommended

Zastaralý

Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.

XP9565GEM