Name: XP6NA1R4CXT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP6NA1R4CXTTR-ND
Price: 79.2671 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XP6NA1R4CXT
Číslo produktu DigiKey	5048-XP6NA1R4CXTTR-ND - Páska a cívka (TR) 5048-XP6NA1R4CXTCT-ND - Řezaná páska (CT) 5048-XP6NA1R4CXTDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	YAGEO XSEMI
Číslo produktu výrobce	XP6NA1R4CXT
Popis	FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 44,6A (Ta), 100A (Tc) 5W (Ta), 113,6W (Tc) Montáž na povrch PMPAK® 5 x 6
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 1,45mOhm při 20A, 10V
Mfr YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Řada XP6NA1R4C	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 195 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 11520 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 5W (Ta), 113,6W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 44,6A (Ta), 100A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PMPAK® 5 x 6
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Pouzdro 8-PowerLDFN