Name: SIR626DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR626DP-T1-RE3TR-ND
Price: 84.095 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIR626DP-T1-RE3
Číslo produktu DigiKey	SIR626DP-T1-RE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIR626DP-T1-RE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIR626DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR626DP-T1-RE3
Popis	MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 100A (Tc) 104W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIR626DP-T1-RE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,4V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 78 nC @ 7.5 V
Řada TrenchFET® Gen IV	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5130 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 104W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 100A (Tc)	Pouzdro PowerPAK® SO-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu SIR626
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,7mOhm při 20A, 10V