N-kanál 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SUP70040E-GE3

Číslo produktu DigiKey
SUP70040E-GE3-ND
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SUP70040E-GE3
Popis
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Standardní dodací lhůta výrobce
49 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SUP70040E-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
TrenchFET®
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
7,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
4mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
5100 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
375W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
TO-220-3
Základní číslo produktu
SUP70040
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 264
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
184,83000 Kč84,83 Kč
1055,81300 Kč558,13 Kč
10039,25370 Kč3 925,37 Kč
50032,18784 Kč16 093,92 Kč
1 00029,91816 Kč29 918,16 Kč
2 00028,87225 Kč57 744,50 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:84,83000 Kč
Jednotková cena s DPH:102,64430 Kč