N-kanál 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SUP60030E-GE3

Číslo produktu DigiKey
SUP60030E-GE3-ND
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SUP60030E-GE3
Popis
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Standardní dodací lhůta výrobce
55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SUP60030E-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
TrenchFET®
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
7,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
3,4mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
7910 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
375W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
TO-220-3
Základní číslo produktu
SUP60030
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 373
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
198,90000 Kč98,90 Kč
5051,08400 Kč2 554,20 Kč
10046,46020 Kč4 646,02 Kč
50038,36208 Kč19 181,04 Kč
1 00035,76106 Kč35 761,06 Kč
2 00035,46038 Kč70 920,76 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:98,90000 Kč
Jednotková cena s DPH:119,66900 Kč