SUM90N10-8M2P-E3 Vishay Siliconix | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SUM90N10-8M2P-E3
Číslo produktu DigiKey	SUM90N10-8M2P-E3TR-ND - Páska a cívka (TR) SUM90N10-8M2P-E3CT-ND - Řezaná páska (CT) SUM90N10-8M2P-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SUM90N10-8M2P-E3
Popis	MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 90A (Tc) 3,75W (Ta), 300W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SUM90N10-8M2P-E3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	90A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	8,2mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6290 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,75W (Ta), 300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263 (D2PAK)
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	SUM90