Name: SUD90330E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD90330E-GE3TR-ND
Price: 57.6807 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SUD90330E-GE3
Číslo produktu DigiKey	SUD90330E-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SUD90330E-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SUD90330E-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SUD90330E-GE3
Popis	MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Standardní dodací lhůta výrobce	42 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 35,8A (Tc) 125W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 32 nC @ 10 V
Řada ThunderFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1172 pF @ 100 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 125W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 200 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 35,8A (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7,5V, 10V	Základní číslo produktu SUD90330
Rds zap (max) při Id, Vgs 37,5mOhm při 12,2A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 8 246

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)