Name: SUD19N20-90-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD19N20-90-E3TR-ND
Price: 50.1545 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SUD19N20-90-E3
Číslo produktu DigiKey	SUD19N20-90-E3TR-ND - Páska a cívka (TR) SUD19N20-90-E3CT-ND - Řezaná páska (CT) SUD19N20-90-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SUD19N20-90-E3
Popis	MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 19A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SUD19N20-90-E3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	19A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	90mOhm při 5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1800 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 136W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252AA
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	SUD19