Name: SQM120N10-3M8_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120N10-3M8_GE3TR-ND
Price: 121.7502 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SQM120N10-3M8_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQM120N10-3M8_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQM120N10-3M8_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQM120N10-3M8_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQM120N10-3M8_GE3
Popis	MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Standardní dodací lhůta výrobce	32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQM120N10-3M8_GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,8mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	190 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7230 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	375W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263 (D2PAK)
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	SQM120

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
800	37,30639 Kč	29 845,11 Kč
1 600	36,29546 Kč	58 072,74 Kč

Jednotková cena bez DPH:	100,62000 Kč
Jednotková cena s DPH:	121,75020 Kč

SQM120N10-3M8_GE3