Name: SQJQ410EL-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ410EL-T1_GE3TR-ND
Price: 109.2509 CZK
Availability: InStock

SQJQ410EL-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQJQ410EL-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJQ410EL-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJQ410EL-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJQ410EL-T1_GE3
Popis	MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 135A (Tc) 136W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 8x8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQJQ410EL-T1_GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	135A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,4mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7350 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	136W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 8x8
Pouzdro	PowerPAK® 8x8
Základní číslo produktu	SQJQ410

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
2 000	29,70787 Kč	59 415,74 Kč
4 000	28,58353 Kč	114 334,12 Kč

Jednotková cena bez DPH:	90,29000 Kč
Jednotková cena s DPH:	109,25090 Kč

SQJQ410EL-T1_GE3