Name: BSS806NEH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS806NEH6327XTSA1TR-ND
Price: 9.6558 CZK
Availability: InStock

BSS806NEH6327XTSA1
Číslo produktu DigiKey	BSS806NEH6327XTSA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSS806NEH6327XTSA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSS806NEH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSS806NEH6327XTSA1
Popis	MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Standardní dodací lhůta výrobce	25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 2,3A (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch PG-SOT23
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSS806NEH6327XTSA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,3A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,8V, 2,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	57mOhm při 2,3A, 2,5V
Vgs(th) (max) při Id	750mV při 11µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	1.7 nC @ 2.5 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	529 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	500mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-SOT23
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo produktu	BSS806

Jednotková cena bez DPH:	7,98000 Kč
Jednotková cena s DPH:	9,65580 Kč

BSS806NEH6327XTSA1