Name: SQJA82EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJA82EP-T1_GE3TR-ND
Price: 47.0085 CZK
Availability: InStock

SQJA82EP-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQJA82EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJA82EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJA82EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJA82EP-T1_GE3
Popis	MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	39 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 60A (Tc) 68W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	60A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	8,2mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3000 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	68W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SQJA82

Jednotková cena bez DPH:	38,85000 Kč
Jednotková cena s DPH:	47,00850 Kč

SQJA82EP-T1_GE3