Name: SQJ858AEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ858AEP-T1_GE3TR-ND
Price: 48.0249 CZK
Availability: InStock

SQJ858AEP-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQJ858AEP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ858AEP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ858AEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJ858AEP-T1_GE3
Popis	MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQJ858AEP-T1_GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	58A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,3mOhm při 14A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2450 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	48W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SQJ858

Jednotková cena bez DPH:	39,69000 Kč
Jednotková cena s DPH:	48,02490 Kč

SQJ858AEP-T1_GE3