Name: SQJ457EP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ457EP-T1_BE3TR-ND
Price: 40.6318 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJ457EP-T1_BE3
Číslo produktu DigiKey	742-SQJ457EP-T1_BE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQJ457EP-T1_BE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SQJ457EP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJ457EP-T1_BE3
Popis	P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 36A (Tc) 68W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQJ457EP-T1_BE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 100 nC @ 10 V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3400 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 68W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 36A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8
Rds zap (max) při Id, Vgs 25mOhm při 10A, 10V	Pouzdro PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA