Name: SQJ402EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ402EP-T1_GE3TR-ND
Price: 62.073 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJ402EP-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQJ402EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJ402EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJ402EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJ402EP-T1_GE3
Popis	MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 32A (Tc) 83W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQJ402EP-T1_GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 51 nC @ 10 V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Řada TrenchFET®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2289 pF @ 40 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 83W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 32A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro PowerPAK® SO-8
Rds zap (max) při Id, Vgs 11mOhm při 10A, 10V	Základní číslo produktu SQJ402
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA