Name: SIJ4819DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJ4819DP-T1-GE3TR-ND
Price: 81.7597 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIJ4819DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIJ4819DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIJ4819DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIJ4819DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIJ4819DP-T1-GE3
Popis	P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 80 V 11,5A (Ta), 44,4A (Tc) 5W (Ta), 73,5W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIJ4819DP-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 20,7mOhm při 10A, 10V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 2,6V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 65 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3420 pF @ 40 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 5W (Ta), 73,5W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 11,5A (Ta), 44,4A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro PowerPAK® SO-8