Name: SIJ4819DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJ4819DP-T1-GE3TR-ND
Price: 82.3163 CZK
Availability: InStock

SIJ4819DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIJ4819DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIJ4819DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIJ4819DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIJ4819DP-T1-GE3
Popis	P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 80 V 11,5A (Ta), 44,4A (Tc) 5W (Ta), 73,5W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIJ4819DP-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11,5A (Ta), 44,4A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	20,7mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,6V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3420 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	5W (Ta), 73,5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
3 000	20,44680 Kč	61 340,40 Kč
6 000	19,47565 Kč	116 853,90 Kč

Jednotková cena bez DPH:	68,03000 Kč
Jednotková cena s DPH:	82,31630 Kč

SIJ4819DP-T1-GE3