
SIZF660LDT-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SIZF660LDT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIZF660LDT-T1-GE3 |
Popis | SYMMETRIC DUAL N-CH 60-V (D-S) M |
Standardní dodací lhůta výrobce | 55 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 60V 28A (Ta), 110A (Tc) 4,2W (Ta), 62,5W (Tc) Montáž na povrch PowerPAIR® 6 x 5FS |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (polomůstkový) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 60V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 28A (Ta), 110A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 2,6mOhm při 10A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 85nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 4315pF při 30V | |
Výkon - max | 4,2W (Ta), 62,5W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-WDFN podložka pro odvod tepla | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAIR® 6 x 5FS |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 6 000 | 25,70068 Kč | 154 204,08 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 25,70068 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 31,09782 Kč |


