Name: SIZF5302DT-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF5302DT-T1-RE3TR-ND
Price: 71.9224 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIZF5302DT-T1-RE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIZF5302DT-T1-RE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIZF5302DT-T1-RE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIZF5302DT-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIZF5302DT-T1-RE3
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 28,1A (Ta), 100A (Tc) 3,8W (Ta), 48,1W (Tc) Montáž na povrch PowerPAIR® 3x3FS
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIZF5302DT-T1-RE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Výrobce Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 22,2nC při 10V
Řada TrenchFET® Gen V	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1030pF při 15V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Výkon - max 3,8W (Ta), 48,1W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Pouzdro 12-PowerPair™
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAIR® 3x3FS
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 28,1A (Ta), 100A (Tc)	Základní číslo produktu SIZF5302
Rds zap (max) při Id, Vgs 3,2mOhm při 10A, 10V