Name: SIZF5300DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF5300DT-T1-GE3TR-ND
Price: 70.5672 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIZF5300DT-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIZF5300DT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIZF5300DT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIZF5300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIZF5300DT-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 35A (Ta), 125A (Tc) 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) Montáž na povrch PowerPAIR® 3x3FS
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIZF5300DT-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen V
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	35A (Ta), 125A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,43mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	32nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1480pF při 15V
Výkon - max	4,5W (Ta), 56,8W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	12-PowerPair™
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAIR® 3x3FS
Základní číslo produktu	SIZF5300