SIZ704DT-T1-GE3 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

SIZ904DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 9,67259 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
Pole MOSFET 30V 12A, 16A 20W, 30W Montáž na povrch 6-PowerPair™
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIZ704DT-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIZ704DT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
SIZ704DT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
SIZ704DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SIZ704DT-T1-GE3
Popis
MOSFET 2N-CH 30V 12A 6POWERPAIR
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 30V 12A, 16A 20W, 30W Montáž na povrch 6-PowerPair™
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Vishay Siliconix
Řada
TrenchFET®
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace
2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
12A, 16A
Rds zap (max) při Id, Vgs
24mOhm při 7,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
12nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
435pF při 15V
Výkon - max
20W, 30W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
6-PowerPair™
Dodávaná velikost pouzdra
6-PowerPair™
Základní číslo produktu
SIZ704
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.