
SIZ904DT-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIZ904DT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIZ904DT-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 30V 12A 6POWERPAIR |
Standardní dodací lhůta výrobce | 19 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 30V 12A, 16A 20W, 33W Montáž na povrch 6-PowerPair™ |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (polomůstkový) | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 12A, 16A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 24mOhm při 7,8A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 12nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 435pF při 15V | |
Výkon - max | 20W, 33W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 6-PowerPair™ | |
Dodávaná velikost pouzdra | 6-PowerPair™ | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 9,59520 Kč | 28 785,60 Kč |
| 6 000 | 8,93791 Kč | 53 627,46 Kč |
| 9 000 | 8,80068 Kč | 79 206,12 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 9,59520 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 11,61019 Kč |


