Name: SIUD412ED-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIUD412ED-T1-GE3TR-ND
Price: 6.05 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIUD412ED-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIUD412ED-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIUD412ED-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIUD412ED-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIUD412ED-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Standardní dodací lhůta výrobce	8 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 12 V 500mA (Tc) 1,25W (Ta) Montáž na povrch PowerPAK® 0806
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIUD412ED-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	12 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	500mA (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,2V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	340mOhm při 500mA, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	900mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	0.71 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	21 pF @ 6 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,25W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 0806
Pouzdro	PowerPAK® 0806
Základní číslo produktu	SIUD412