
SISS60DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SISS60DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SISS60DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SISS60DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SISS60DN-T1-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK |
Standardní dodací lhůta výrobce | 55 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 30 V 50,1A (Ta), 181,8A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8S |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 4,5V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 1,31mOhm při 20A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 85.5 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | +16V, -12V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 3960 pF @ 15 V | |
Funkce tranzistoru FET | Schottkyho dioda (těleso) | |
Rozptylový výkon (Max) | 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® 1212-8S | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 49,35000 Kč | 49,35 Kč |
| 10 | 31,62300 Kč | 316,23 Kč |
| 100 | 21,47470 Kč | 2 147,47 Kč |
| 500 | 17,12764 Kč | 8 563,82 Kč |
| 1 000 | 15,73002 Kč | 15 730,02 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 13,95555 Kč | 41 866,65 Kč |
| 6 000 | 13,06293 Kč | 78 377,58 Kč |
| 9 000 | 12,60846 Kč | 113 476,14 Kč |
| 15 000 | 12,55944 Kč | 188 391,60 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 49,35000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 59,71350 Kč |




