Name: SISS32DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS32DN-T1-GE3TR-ND
Price: 55.7689 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SISS32DN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SISS32DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SISS32DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SISS32DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SISS32DN-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 17,4A (Ta), 63A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8S
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,8V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 42 nC @ 10 V
Řada TrenchFET® Gen IV	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1930 pF @ 40 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 5W (Ta), 65,7W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® 1212-8S
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 17,4A (Ta), 63A (Tc)	Pouzdro PowerPAK® 1212-8S
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7,5V, 10V	Základní číslo produktu SISS32
Rds zap (max) při Id, Vgs 7,2mOhm při 10A, 10V