
SISH410DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SISH410DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SISH410DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SISH410DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SISH410DN-T1-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK |
Standardní dodací lhůta výrobce | 49 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 20 V 22A (Ta), 35A (Tc) 3,8W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8SH |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SISH410DN-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 20 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 4,5V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 4,8mOhm při 20A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 41 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1600 pF @ 10 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 3,8W (Ta), 52W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® 1212-8SH | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 33,81000 Kč | 33,81 Kč |
| 10 | 21,39700 Kč | 213,97 Kč |
| 100 | 14,28490 Kč | 1 428,49 Kč |
| 500 | 11,23602 Kč | 5 618,01 Kč |
| 1 000 | 10,25479 Kč | 10 254,79 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 9,00884 Kč | 27 026,52 Kč |
| 6 000 | 8,38174 Kč | 50 290,44 Kč |
| 9 000 | 8,16297 Kč | 73 466,73 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 33,81000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 40,91010 Kč |





