Name: SISH101DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH101DN-T1-GE3TR-ND
Price: 36.0822 CZK
Availability: InStock

SISH101DN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SISH101DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SISH101DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SISH101DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SISH101DN-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	31 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 16,9A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8SH
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SISH101DN-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	16,9A (Ta), 35A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,2mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3595 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 1212-8SH
Pouzdro	PowerPAK® 1212-8SH
Základní číslo produktu	SISH101

Jednotková cena bez DPH:	29,82000 Kč
Jednotková cena s DPH:	36,08220 Kč

SISH101DN-T1-GE3