
SISH101DN-T1-GE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | SISH101DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SISH101DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SISH101DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SISH101DN-T1-GE3 |
Popis | MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK |
Standardní dodací lhůta výrobce | 19 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | P-kanál 30 V 16,9A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8SH |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SISH101DN-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 4,5V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 7,2mOhm při 15A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 102 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 3595 pF @ 15 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 3,7W (Ta), 52W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® 1212-8SH | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 21,66000 Kč | 21,66 Kč |
10 | 15,01800 Kč | 150,18 Kč |
100 | 9,85680 Kč | 985,68 Kč |
500 | 7,64044 Kč | 3 820,22 Kč |
1 000 | 6,92702 Kč | 6 927,02 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
3 000 | 6,02036 Kč | 18 061,08 Kč |
6 000 | 5,56394 Kč | 33 383,64 Kč |
9 000 | 5,33139 Kč | 47 982,51 Kč |
15 000 | 5,08564 Kč | 76 284,60 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 21,66000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 26,20860 Kč |