Name: SIS932EDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS932EDN-T1-GE3TR-ND
Price: 23.4377 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIS932EDN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIS932EDN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIS932EDN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIS932EDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIS932EDN-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 6A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8 duální
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIS932EDN-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	22mOhm při 10A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	14nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1000pF při 15V
Výkon - max	2,6W (Ta), 23W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	PowerPAK® 1212-8 duální
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 1212-8 duální
Základní číslo produktu	SIS932

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 244

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)