
SIS9122DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SIS9122DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIS9122DN-T1-GE3 |
Popis | DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOS |
Standardní dodací lhůta výrobce | 55 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 100V 2,5A (Ta), 7,1A (Tc) 2,3W (Ta), 17,8W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8 duální |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 100V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 2,5A (Ta), 7,1A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 160mOhm při 2,5A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 6nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 210pF při 50V | |
Výkon - max | 2,3W (Ta), 17,8W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | PowerPAK® 1212-8 duální | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® 1212-8 duální |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 6 000 | 8,89640 Kč | 53 378,40 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 8,89640 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 10,76464 Kč |


