Name: IAUCN04S7L023HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7L023HATMA1TR-ND
Price: 57.8138 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUCN04S7L023HATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IAUCN04S7L023HATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IAUCN04S7L023HATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IAUCN04S7L023HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUCN04S7L023HATMA1
Popis	MOSFET_(20V 40V)
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 40V 100A (Tj) 75W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-56
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A (Tj)
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,34mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	1,8V při 25µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	38nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2518pF při 20V
Výkon - max	75W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerVDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-56

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 985

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®