
SIS903DN-T1-GE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIS903DN-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 20V 6A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8 duální |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIS903DN-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 P-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 20V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 6A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 20,1mOhm při 5A, 4,5V | |
Vgs(th) (max) při Id | 1V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 42nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 2565pF při 10V | |
Výkon - max | 2,6W (Ta), 23W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | PowerPAK® 1212-8 duální | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® 1212-8 duální | |
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 31,45000 Kč | 31,45 Kč |
10 | 19,80900 Kč | 198,09 Kč |
100 | 13,18120 Kč | 1 318,12 Kč |
500 | 10,33710 Kč | 5 168,55 Kč |
1 000 | 9,42162 Kč | 9 421,62 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
3 000 | 8,25930 Kč | 24 777,90 Kč |
6 000 | 7,67429 Kč | 46 045,74 Kč |
9 000 | 7,38164 Kč | 66 434,76 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 31,45000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 38,05450 Kč |