Name: SIS903DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS903DN-T1-GE3TR-ND
Price: 46.2462 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIS903DN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIS903DN-T1-GE3
Popis	MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 6A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8 duální
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIS903DN-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA
Výrobce Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 42nC při 10V
Řada TrenchFET® Gen III	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2565pF při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Výkon - max 2,6W (Ta), 23W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Konfigurace 2 P-kanál (duální)	Pouzdro PowerPAK® 1212-8 duální
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® 1212-8 duální
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 6A (Tc)	Základní číslo produktu SIS903
Rds zap (max) při Id, Vgs 20,1mOhm při 5A, 4,5V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 22 069

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)