Name: SIS890DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS890DN-T1-GE3TR-ND
Price: 52.8528 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIS890DN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIS890DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIS890DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIS890DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIS890DN-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Standardní dodací lhůta výrobce	42 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 30A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIS890DN-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 29 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 802 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® 1212-8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 30A (Tc)	Pouzdro PowerPAK® 1212-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu SIS890
Rds zap (max) při Id, Vgs 23,5mOhm při 10A, 10V