
SIS888DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SIS888DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIS888DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIS888DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIS888DN-T1-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK |
Standardní dodací lhůta výrobce | 42 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 150 V 20,2A (Tc) 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8S |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 150 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 7,5V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 58mOhm při 10A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4,2V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 14.5 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 420 pF @ 75 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 52W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TA) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® 1212-8S | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 48,93000 Kč | 48,93 Kč |
| 10 | 31,32900 Kč | 313,29 Kč |
| 100 | 21,26050 Kč | 2 126,05 Kč |
| 500 | 16,95000 Kč | 8 475,00 Kč |
| 1 000 | 15,56372 Kč | 15 563,72 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 13,80416 Kč | 41 412,48 Kč |
| 6 000 | 12,91895 Kč | 77 513,70 Kč |
| 9 000 | 12,46822 Kč | 112 213,98 Kč |
| 15 000 | 12,40195 Kč | 186 029,25 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 48,93000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 59,20530 Kč |



