
SIS5712DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SIS5712DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIS5712DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIS5712DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIS5712DN-T1-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 33 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 150 V 5,6A (Ta), 18A (Tc) 3,7W (Ta), 39,1W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8 |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 150 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 7,5V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 55,5mOhm při 5,6A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 11.3 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 500 pF @ 75 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 3,7W (Ta), 39,1W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® 1212-8 | |
Pouzdro |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 39,57000 Kč | 39,57 Kč |
| 10 | 25,15500 Kč | 251,55 Kč |
| 100 | 16,93890 Kč | 1 693,89 Kč |
| 500 | 13,41390 Kč | 6 706,95 Kč |
| 1 000 | 12,39950 Kč | 12 399,50 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 10,84103 Kč | 32 523,09 Kč |
| 6 000 | 10,13031 Kč | 60 781,86 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 39,57000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 47,87970 Kč |










