Name: SIS434DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS434DN-T1-GE3TR-ND
Price: 40.656 CZK
Availability: OutOfStock

SIS434DN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIS434DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIS434DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIS434DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIS434DN-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Standardní dodací lhůta výrobce	54 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 35A (Tc) 3,8W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIS434DN-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	35A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,6mOhm při 16,2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1530 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,8W (Ta), 52W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 1212-8
Pouzdro	PowerPAK® 1212-8
Základní číslo produktu	SIS434

Jednotková cena bez DPH:	33,60000 Kč
Jednotková cena s DPH:	40,65600 Kč

SIS434DN-T1-GE3