Name: RQ7E110AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ7E110AJTCRTR-ND
Price: 38.2118 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RQ7E110AJTCR
Číslo produktu DigiKey	RQ7E110AJTCRTR-ND - Páska a cívka (TR) RQ7E110AJTCRCT-ND - Řezaná páska (CT) RQ7E110AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RQ7E110AJTCR
Popis	MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 11A (Tc) 1,5W (Tc) Montáž na povrch TSMT8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RQ7E110AJTCR Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9mOhm při 4,5A, 11V
Vgs(th) (max) při Id	1,5V při 10mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	22 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2410 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TSMT8
Pouzdro	8-SMD, Ploché vodiče
Základní číslo produktu	RQ7E110