P-kanál 30 V 18A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIS413DN-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIS413DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
SIS413DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
SIS413DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SIS413DN-T1-GE3
Popis
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Standardní dodací lhůta výrobce
31 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
P-kanál 30 V 18A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SIS413DN-T1-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
TrenchFET®
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
P-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
18A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
9,4mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
4280 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
3,7W (Ta), 52W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PowerPAK® 1212-8
Pouzdro
PowerPAK® 1212-8
Základní číslo produktu
SIS413
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 24 662
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
124,23000 Kč24,23 Kč
1015,21400 Kč152,14 Kč
10010,00710 Kč1 000,71 Kč
5007,76584 Kč3 882,92 Kč
1 0007,04436 Kč7 044,36 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
3 0006,12783 Kč18 383,49 Kč
6 0005,66635 Kč33 998,10 Kč
9 0005,43129 Kč48 881,61 Kč
15 0005,19960 Kč77 994,00 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:24,23000 Kč
Jednotková cena s DPH:29,31830 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3

Vishay Siliconix

11,91000 Kč
HI0805R800R-10

HI0805R800R-10

FERRITE BEAD 80 OHM 0805 1LN

Laird-Signal Integrity Products

2,26000 Kč
AP7375-33SA-7

AP7375-33SA-7

IC REG LIN 3.3V 300MA SOT23-3

Diodes Incorporated

5,13000 Kč
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

24,64000 Kč
SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3

MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK

Vishay Siliconix

19,09000 Kč
DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B

MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN

Diodes Incorporated

7,60000 Kč
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

19,50000 Kč
LTST-C193KRKT-5A

LTST-C193KRKT-5A

LED RED CLEAR CHIP SMD

Lite-On Inc.

3,49000 Kč
2169890001

2169890001

CONN RCPT USB2.0 TYPE C 24POS RA

Molex

31,00000 Kč
SISH101DN-T1-GE3

SISH101DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK

Vishay Siliconix

29,15000 Kč