
SIS412DN-T1-GE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIS412DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIS412DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIS412DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIS412DN-T1-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 19 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 30 V 12A (Tc) 3,2W (Ta), 15,6W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIS412DN-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 4,5V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 24mOhm při 7,8A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 435 pF @ 15 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 3,2W (Ta), 15,6W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® 1212-8 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 13,75000 Kč | 13,75 Kč |
10 | 8,43600 Kč | 84,36 Kč |
100 | 6,69270 Kč | 669,27 Kč |
500 | 6,19568 Kč | 3 097,84 Kč |
1 000 | 5,59619 Kč | 5 596,19 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
3 000 | 4,48303 Kč | 13 449,09 Kč |
6 000 | 4,33431 Kč | 26 005,86 Kč |
9 000 | 3,97311 Kč | 35 757,99 Kč |
15 000 | 3,90628 Kč | 58 594,20 Kč |
21 000 | 3,90563 Kč | 82 018,23 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 13,75000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 16,63750 Kč |